Interface structure and polarity of GaN/ZnO heterostructure

نویسندگان

چکیده

برای دانلود باید عضویت طلایی داشته باشید

برای دانلود متن کامل این مقاله و بیش از 32 میلیون مقاله دیگر ابتدا ثبت نام کنید

اگر عضو سایت هستید لطفا وارد حساب کاربری خود شوید

منابع مشابه

the underlying structure of language proficiency and the proficiency level

هدف از انجام این تخقیق بررسی رابطه احتمالی بین سطح مهارت زبان خارجی (foreign language proficiency) و ساختار مهارت زبان خارجی بود. تعداد 314 زبان آموز مونث و مذکر که عمدتا دانشجویان رشته های زبان انگلیسی در سطوح کارشناسی و کارشناسی ارشد بودند در این تحقیق شرکت کردند. از لحاظ سطح مهارت زبان خارجی شرکت کنندگان بسیار با هم متفاوت بودند، (75 نفر سطح پیشرفته، 113 نفر سطح متوسط، 126 سطح مقدماتی). کلا ...

15 صفحه اول

Revealing the atomic and electronic structure of a SrTiO3/LaNiO3/SrTiO3 heterostructure interface

The atomic structures of SrTiO 3 (STO)/LaNiO 3 (LNO)/STO heterostructure interfaces were investigated by spherical aberration-corrected (C S) (scanning) transmission electron microscopy. Atomic displacement and lattice distortion measurements and electron energy loss spectroscopy (EELS) were used to quantitatively analyze the distortion of the interfacial octahedra and the bond length at the in...

متن کامل

Dynamic investigation of interface atom migration during heterostructure nanojoining.

Interface atom migration and compositional evolution during the heterostructure nanojoining process under external electrical loadings has been investigated in situ inside a transmission electron microscope with atomic resolution. The results indicate that the migration of oxygen atoms on the contact interface of metal nanorods is a thermal dominated process rather than an electromigration proc...

متن کامل

Interface Structure and Surface Polarity in CdTe/ZnTe/(112)Si Hetero-Epitaxial System

Tellurium adsorption on clean (112) Si surfaces obey a second order kinetic law. The adsorbed Te ad-atoms are highly immobile. Activation energies of adsorption and desorption were measured by isothermal desorption rates. A surface bond energy model was used to calculate the total energy for Te chemisorption on (111) terraces. This model yields a Si-Te bond energy of about 3.46 eV. As-Te bond e...

متن کامل

Full-Field Strain Mapping at a Ge/Si Heterostructure Interface

The misfit dislocations and strain fields at a Ge/Si heterostructure interface were investigated experimentally using a combination of high-resolution transmission electron microscopy and quantitative electron micrograph analysis methods. The type of misfit dislocation at the interface was determined to be 60° dislocation and 90° full-edge dislocation. The full-field strains at the Ge/Si hetero...

متن کامل

ذخیره در منابع من


  با ذخیره ی این منبع در منابع من، دسترسی به آن را برای استفاده های بعدی آسان تر کنید

ژورنال

عنوان ژورنال: Journal of the Ceramic Society of Japan

سال: 2009

ISSN: 1882-0743,1348-6535

DOI: 10.2109/jcersj2.117.475